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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    70P259L90BYGI8
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    90ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    100-CABGA (6x6)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    100-TFBGA
  • दुसरे नाम
    IDT70P259L90BYGI8
    IDT70P259L90BYGI8-ND
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    128Kb (8K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 90ns 100-CABGA (6x6)
  • अभिगम समय
    90ns
70P264L40BYGI8

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विवरण: IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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विवरण: IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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विवरण: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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विवरण: IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70P264L40BYGI

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विवरण: IC SRAM 256K PARALLEL 81CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70P259L90BYGI

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विवरण: IC SRAM 128K PARALLEL 100CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70P254L55BYGI

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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विवरण: IC SRAM 256K PARALLEL 100CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70P269L65BYGI

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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