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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    70T3539MS133BC8
  • निर्माता / ब्रांड
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    1.70T3539MS133BC8.pdf
    2.70T3539MS133BC8.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.4 V ~ 2.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    256-CABGA (17x17)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    256-LBGA
  • दुसरे नाम
    IDT70T3539MS133BC8
    IDT70T3539MS133BC8-ND
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    4 (72 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    18Mb (512K x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
  • घड़ी आवृत्ति
    133MHz
  • आधार भाग संख्या
    IDT70T3539M
  • अभिगम समय
    4.2ns
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  • भुगतान

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70T3519S166DR

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