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70T3589S133DR8

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    70T3589S133DR8
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.4 V ~ 2.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    208-PQFP (28x28)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    208-BFQFP
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Mb (64K x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-PQFP (28x28)
  • घड़ी आवृत्ति
    133MHz
  • अभिगम समय
    4.2ns
70T3589S166BF8

70T3589S166BF8

विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
स्टॉक में
70T3589S133BFI

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
स्टॉक में
70T3589S133BCI

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70T3539MS166BC

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70T3589S133DRI

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP

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70T3589S133BC8

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70T3589S166BC

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70T3589S133BC

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70T3589S133DRI8

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70T3539MS166BC8

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 256CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70T3589S200BC

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

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70T3539MS166BCG

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70T3589S200BC8

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70T3589S166BF

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70T3589S133DR

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70T3589S166BC8

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70T3589S133BFI8

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70T3589S166DR

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