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70V657S12BCI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    70V657S12BCI
  • निर्माता / ब्रांड
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    1.70V657S12BCI.pdf
    2.70V657S12BCI.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    12ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3.15 V ~ 3.45 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    256-CABGA (17x17)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    256-LBGA
  • दुसरे नाम
    IDT70V657S12BCI
    IDT70V657S12BCI-ND
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    4 (72 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1.125Mb (32K x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17)
  • आधार भाग संख्या
    IDT70V657
  • अभिगम समय
    12ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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70V657S10BFG8

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70V657S12BC

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70V657S12BFI8

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70V657S12DRGI

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