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70V659S12DRGI8

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    70V659S12DRGI8
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    12ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3.15 V ~ 3.45 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    208-PQFP (28x28)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    208-BFQFP
  • दुसरे नाम
    IDT70V659S12DRGI8
    IDT70V659S12DRGI8-ND
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4.5Mb (128K x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)
  • आधार भाग संख्या
    IDT70V659
  • अभिगम समय
    12ns
70V659S12BFGI8

70V659S12BFGI8

विवरण: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208FPBGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
स्टॉक में
70V659S12BFI

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विवरण: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
स्टॉक में
70V659S12BFI8

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विवरण: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70V7319S133BF

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विवरण: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
स्टॉक में
70V659S12BF

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विवरण: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70V659S12BCI8

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विवरण: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70V659S15BF

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70V659S15BF8

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70V7319S133BF8

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विवरण: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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70V659S12BFGI

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70V659S12DRI

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70V659S15BC

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70V659S12BF8

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70V659S12DR

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70V659S12BCI

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