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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    71256S55TDB
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    55ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    4.5 V ~ 5.5 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    28-CDIP
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tube
  • पैकेज / प्रकरण
    28-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • दुसरे नाम
    IDT71256S55TDB
    IDT71256S55TDB-ND
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 125°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Kb (32K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    10 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 55ns 28-CDIP
  • अभिगम समय
    55ns
71256S25TDB

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