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71V30S35TFI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    71V30S35TFI
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    35ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    64-TQFP (10x10)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    64-LQFP
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    8Kb (1K x 8)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 8Kb (1K x 8) Parallel 35ns 64-TQFP (10x10)
  • अभिगम समय
    35ns
71V30L55TFI8

71V30L55TFI8

विवरण: IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
स्टॉक में
71V30L55TF8

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71V30L55TFI

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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71V30S35TF

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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71V30S25TF

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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71V30VL55TFI

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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71V30S55TF

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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71V30S35TFI8

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निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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71V30VL55TFI8

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71V30S55TFG

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71V30VL90TF/2932

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71V30VL90TF

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71V30S25TF8

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71V30L55TF

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71V30S55TFG8

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71V30VL90TF8

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