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71V35761S200BGG8

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    71V35761S200BGG8
  • निर्माता / ब्रांड
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.71V35761S200BGG8.pdf
    2.71V35761S200BGG8.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3.135 V ~ 3.465 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Synchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    119-PBGA (14x22)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    119-BGA
  • दुसरे नाम
    IDT71V35761S200BGG8
    IDT71V35761S200BGG8-ND
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4.5Mb (128K x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA (14x22)
  • घड़ी आवृत्ति
    200MHz
  • आधार भाग संख्या
    IDT71V35761
  • अभिगम समय
    3.1ns

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