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IDT71P72804S200BQ8

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IDT71P72804S200BQ8
  • निर्माता / ब्रांड
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    IDT71P72804S200BQ8.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.9 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    165-CABGA (13x15)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    165-TBGA
  • दुसरे नाम
    71P72804S200BQ8
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    18Mb (1M x 18)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 7.88ns 165-CABGA (13x15)
  • घड़ी आवृत्ति
    200MHz
  • आधार भाग संख्या
    IDT71P72
  • अभिगम समय
    7.88ns

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IDT71P72804S200BQ

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71P72804S167BQI

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71P72804S250BQG8

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

निर्माता: IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71P72804S167BQG

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IDT71P73604S167BQ

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IDT71P72804S250BQ8

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IDT71P72804S167BQ

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IDT71P72604S200BQI8

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IDT71P73604S200BQ8

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IDT71P72804S167BQGI

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IDT71P72804S250BQG

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