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IS42RM16160K-6BLI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS42RM16160K-6BLI
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS42RM16160K-6BLI.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.3 V ~ 3 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    54-TFBGA (8x8)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    54-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    256Mb (16M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-TFBGA (8x8)
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    5.5ns
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IS42RM16160D-7BL-TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42RM16160E-6BLI-TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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IS41LV16257C-35TLI-TR

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विवरण: IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

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IS42RM16160E-75BLI

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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IS42RM16160E-75BLI-TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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विवरण: IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ

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IS42R32800J-7TLI

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IS42RM16200C-75BLI

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विवरण: IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

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विवरण: IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

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IS42RM16160D-7BLI

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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IS42RM16160E-6BLI

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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विवरण: IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

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