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IS42S32160A-75BI-TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS42S32160A-75BI-TR
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    1.IS42S32160A-75BI-TR.pdf
    2.IS42S32160A-75BI-TR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    90-LFBGA (8x13)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    90-LFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    2 (1 Year)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (16M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 133MHz 6ns 90-LFBGA (8x13)
  • घड़ी आवृत्ति
    133MHz
  • अभिगम समय
    6ns

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IS42S16800F-7TL

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S16800F-7BLI-TR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160B-75BL-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160A-75B

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160A-75BI

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS42S32160B-6BLI

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

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IS42S32160B-6TLI

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

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IS42S32160A-75BL-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

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IS42S32160A-75BLI

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 86TSOP II

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 90LFBGA

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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