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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS43LD32640B-25BPLI
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.14 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    168-VFBGA (12x12)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    168-VFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Gb (64M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    14 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 400MHz 168-VFBGA (12x12)
  • घड़ी आवृत्ति
    400MHz
IS43LD32640B-18BPL-TR

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LD32640B-25BPL

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ

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