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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS43LR32640A-6BLI-TR
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS43LR32640A-6BLI-TR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.7 V ~ 1.95 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    90-WBGA (8x13)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    90-LFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    2Gb (64M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-WBGA (8x13)
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    5ns
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  • शिपिंग
  • भुगतान

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IS43LR32640A-5BLI-TR

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LR32800F-6BLI-TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LR32640A-6BL

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43LR32640A-5BLI

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

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IS43LR32800G-6BL-TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS43LR32640A-5BL

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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IS43QR16256A-083RBL

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विवरण: IC DRAM 4G PARALLEL 96BGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

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विवरण: IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

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