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IS43R16320E-6BLI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS43R16320E-6BLI
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS43R16320E-6BLI.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.3 V ~ 2.7 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    60-TFBGA (13x8)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    60-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    512Mb (32M x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 700ps 60-TFBGA (13x8)
  • घड़ी आवृत्ति
    166MHz
  • अभिगम समय
    700ps
  • सम्बंधित खबर
  • शिपिंग
  • भुगतान

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IS43R16320E-5BL

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R16320E-5TLI

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IS43R16320F-5TLI-TR

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IS43R16320F-5TLI

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IS43R16320F-5BLI

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IS43R16320E-5BL-TR

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IS43R16320E-6BLI-TR

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IS43R16320E-6BI

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

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IS43R16320F-5BL

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

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IS43R16320E-6BI-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

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IS43R16320F-6BL

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