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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS43R32400E-5BL-TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    15ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.3 V ~ 2.7 V
  • प्रौद्योगिकी
    SDRAM - DDR
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    144-LFBGA (12x12)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    144-LFBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    128Mb (4M x 32)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    DRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 700ps 144-LFBGA (12x12)
  • घड़ी आवृत्ति
    200MHz
  • अभिगम समय
    700ps
IS43R32800D-5B-TR

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R32800B-5BL

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 144MINIBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R32400E-4B

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R32400E-5BLI

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R32160D-5BL

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

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IS43R32160D-5BL-TR

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विवरण: IC DRAM 512M PARALLEL 144LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43R32800D-5B

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 144LFBGA

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 144MINIBGA

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

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IS43R32400E-4BL-TR

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विवरण: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

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विवरण: IC DRAM 256M PARALLEL 144MINIBGA

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