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IS61DDB21M36C-300M3L

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS61DDB21M36C-300M3L
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS61DDB21M36C-300M3L.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.71 V ~ 1.89 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Synchronous, DDR II
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    165-LFBGA (13x15)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    165-LBGA
  • परिचालन तापमान
    0°C ~ 70°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    36Mb (1M x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb (1M x 36) Parallel 300MHz 8.4ns 165-LFBGA (13x15)
  • घड़ी आवृत्ति
    300MHz
  • अभिगम समय
    8.4ns

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IS61DDB22M18-250M3

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विवरण: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61DDB21M36C-300M3

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विवरण: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61DDB24M18A-250M3L

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विवरण: IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

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IS61C64AL-10TLI-TR

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विवरण: IC SRAM 64K PARALLEL 28TSOP I

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61DDB22M36A-300B4LI

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विवरण: IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61DDB22M18A-250B4LI

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विवरण: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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IS61DDB22M18C-250B4LI

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IS61DDB21M18C-250M3L

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IS61DDB21M36-250M3

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IS61DDB22M36A-300M3L

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IS61DDB21M36A-250M3L

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विवरण: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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IS61DDB21M36-250M3L

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IS61DDB21M36-275M3

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