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IS61NLF51218A-7.5B3I-TR

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS61NLF51218A-7.5B3I-TR
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
  • डाटा शीट
    1.IS61NLF51218A-7.5B3I-TR.pdf
    2.IS61NLF51218A-7.5B3I-TR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    3.135 V ~ 3.465 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Synchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    165-TFBGA (13x15)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    165-TFBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    2 (1 Year)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    9Mb (512K x 18)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 117MHz 7.5ns 165-TFBGA (13x15)
  • घड़ी आवृत्ति
    117MHz
  • अभिगम समय
    7.5ns

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NLF51236-6.5B3-TR

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61NLF25672-6.5B1I-TR

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

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विवरण: IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ

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IS61NLF25672-6.5B1

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