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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    -
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.375 V ~ 2.625 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Synchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    165-TFBGA (13x15)
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    165-TBGA
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    18Mb (512K x 36)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 133MHz 6.5ns 165-TFBGA (13x15)
  • घड़ी आवृत्ति
    133MHz
  • अभिगम समय
    6.5ns
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विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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