IS61NVP51236-250B3I

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IS61NVP51236-250B3I
निर्माता / ब्रांड

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IS61NVP51236-250B3I.pdf
लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ

-
वोल्टेज आपूर्ति

2.375 V ~ 2.625 V
प्रौद्योगिकी

SRAM - Synchronous
प्रदायक डिवाइस पैकेज

165-TFBGA (13x15)
शृंखला

-
पैकेज / प्रकरण

165-TBGA
परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
स्मृति के प्रकार

Volatile
मेमोरी का आकार

18Mb (512K x 36)
मेमोरी इंटरफेस

Parallel
मेमोरी प्रारूप

SRAM
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
विस्तृत विवरण

SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 250MHz 2.6ns 165-TFBGA (13x15)
घड़ी आवृत्ति

250MHz
अभिगम समय

2.6ns

निम्नलिखित "IS61NVP51236-250B3I" संबंधित उत्पाद हैं।

IS61QDB21M18A-250B4LI

विवरण: IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

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