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IS61WV25616EDALL-20BLI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS61WV25616EDALL-20BLI
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 4M PARALLEL 48MGA
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IS61WV25616EDALL-20BLI.pdf
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    20ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    1.65 V ~ 2.2 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • शृंखला
    -
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Mb (256K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 20ns
  • अभिगम समय
    20ns
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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

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