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IS61WV25616EDBLL-10TLI

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS61WV25616EDBLL-10TLI
  • निर्माता / ब्रांड
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    1.IS61WV25616EDBLL-10TLI.pdf
    2.IS61WV25616EDBLL-10TLI.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    10ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.4 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    44-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • दुसरे नाम
    706-1146
    IS61WV25616EDBLL10TLI
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    3 (168 Hours)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    4Mb (256K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP II
  • अभिगम समय
    10ns
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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 36MBGA

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IS61WV2568EDBLL-10KLI

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विवरण: IC SRAM 2M PARALLEL 36SOJ

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विवरण: IC SRAM 8M PARALLEL 90TFBGA

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 48MGA

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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