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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IS62WV6416BLL-55TLI-TR
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • लिखने चक्र समय - शब्द, पृष्ठ
    55ns
  • वोल्टेज आपूर्ति
    2.5 V ~ 3.6 V
  • प्रौद्योगिकी
    SRAM - Asynchronous
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    44-TSOP II
  • शृंखला
    -
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    2 (1 Year)
  • स्मृति के प्रकार
    Volatile
  • मेमोरी का आकार
    1Mb (64K x 16)
  • मेमोरी इंटरफेस
    Parallel
  • मेमोरी प्रारूप
    SRAM
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • विस्तृत विवरण
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II
  • अभिगम समय
    55ns
IS62WV6416DBLL-45TLI-TR

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

निर्माता: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8SOIC

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विवरण: IC SRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA

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विवरण: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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विवरण: IC SRAM 4M PARALLEL

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