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FBE22-06N1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    FBE22-06N1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    RECT BRIDGE FAST SGL I4-PAC-5
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स)
    Single Phase
  • वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं
    20A
  • वोल्टेज - टूटने
    ISOPLUS i4-PAC™
  • प्रौद्योगिकी
    Standard
  • शृंखला
    HiPerFRED²™
  • RoHS स्थिति
    Tube
  • ध्रुवीकरण
    i4-Pac™-5
  • दुसरे नाम
    FBE2206N1
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Through Hole
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    8 Weeks
  • उत्पादक हिस्सा करमार्क
    FBE22-06N1
  • विस्तारित विवरण
    Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
  • डायोड विन्यास
    60µA @ 600V
  • विवरण
    RECT BRIDGE FAST SGL I4-PAC-5
  • वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर
    2.13V @ 11A
  • वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)
    600V
GBU6K-M3/45

GBU6K-M3/45

विवरण: BRIDGE RECT GPP 6A 800V GBU

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBPC1502

GBPC1502

विवरण: RECT BRIDGE GPP 15A 200V GBPC

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
SBR4

SBR4

विवरण: BRIDGE RECT 1.5A 400V

निर्माता: Semtech
स्टॉक में
GBU4K-M3/51

GBU4K-M3/51

विवरण: BRIDGE RECT GPP 4A 800V GBU

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
TS15P05G D2G

TS15P05G D2G

विवरण: BRIDGE RECT 1P 600V 15A TS-6P

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GBL04

GBL04

विवरण: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
GBPC3506WTA

GBPC3506WTA

विवरण: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W

निर्माता: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
स्टॉक में
GSIB1560N-M3/45

GSIB1560N-M3/45

विवरण: BRIDGE RECT 15A 600V GSIB-5S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
DBL158G C1G

DBL158G C1G

विवरण: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 1.5A DBL

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
GSIB1520-E3/45

GSIB1520-E3/45

विवरण: DIODE 15A 200V GSIB-5S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBU6A-E3/45

GBU6A-E3/45

विवरण: DIODE GPP 6A 50V GPP INLINE 4SIP

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
FBE.4E.675.CTA

FBE.4E.675.CTA

विवरण: CONN PNL MNT

निर्माता: LEMO
स्टॉक में
BU12065S-M3/45

BU12065S-M3/45

विवरण: RECTIFIER BRIDGE 600V 12A BU-5S

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
GBU6M-BP

GBU6M-BP

विवरण: RECT BRIDGE GPP 6A 1000V GBU

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
स्टॉक में
VUO18-12DT8

VUO18-12DT8

विवरण: RECT BRIDGE 18A 1200V FO-B

निर्माता: IXYS Corporation
स्टॉक में
GBU6M-M3/51

GBU6M-M3/51

विवरण: BRIDGE RECT GPP 6A 1000V GBU

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay
स्टॉक में
TS40P07G C2G

TS40P07G C2G

विवरण: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 40A TS-6P

निर्माता: TSC (Taiwan Semiconductor)
स्टॉक में
DFB2520

DFB2520

विवरण: BRIDGE RECT 200V 25A TS-6P

निर्माता: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
स्टॉक में
BR305

BR305

विवरण: DIODE BRIDGE 50V 3A BR-3

निर्माता: GeneSiC Semiconductor
स्टॉक में
GBJ2006-BP

GBJ2006-BP

विवरण: BRIDGE RECT 20A 600V GBJ

निर्माता: Micro Commercial Components (MCC)
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