International Rectifier (Infineon Technologies)

BSB017N03LX3 G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSB017N03LX3 G
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

BSB017N03LX3 G.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

MG-WDSON-2, CanPAK M™
शृंखला

OptiMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.7 mOhm @ 30A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.8W (Ta), 57W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

3-WDSON
दुसरे नाम

BSB017N03LX3 G-ND
BSB017N03LX3 GTR-ND
BSB017N03LX3G
BSB017N03LX3GTR
BSB017N03LX3GXUMA1
SP000604468
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

7800pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

102nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 32A (Ta), 147A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

32A (Ta), 147A (Tc)

निम्नलिखित "BSB017N03LX3 G" संबंधित उत्पाद हैं।

BSB019N03LX G

विवरण: MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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