International Rectifier (Infineon Technologies)

BSB053N03LP G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSB053N03LP G
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

BSB053N03LP G.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

MG-WDSON-2, CanPAK M™
शृंखला

OptiMOS™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

5.3 mOhm @ 30A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.3W (Ta), 42W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

3-WDSON
दुसरे नाम

BSB053N03LP G-ND
BSB053N03LPG
SP000597830
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2700pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

29nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

17A (Ta), 71A (Tc)

निम्नलिखित "BSB053N03LP G" संबंधित उत्पाद हैं।

BSB028N06NN3GXUMA1

विवरण: MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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अग्रिम पंजीकरण

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