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BSM25GD120DN2BOSA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSM25GD120DN2BOSA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

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स्टॉक में

विवरण

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप है

ईसीएडी मॉडल

वोल्टेज - कलेक्टर Emitter टूटने (मैक्स)

1200V

Vce (पर) (मैक्स) @ Vge, आईसी

3V @ 15V, 25A

प्रदायक डिवाइस पैकेज

Module

शृंखला

-

पावर - मैक्स

200W

पैकेज / प्रकरण

Module

दुसरे नाम

BSM25GD120DN2
SP000100370

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

एनटीसी Thermistor

No

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS Compliant

इनपुट समाई (CIES) @ Vce

1.65nF @ 25V

इनपुट

Standard

आईजीबीटी प्रकार

-

विस्तृत विवरण

IGBT Module Full Bridge 1200V 35A 200W Chassis Mount Module

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (मैक्स)

800µA

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (मैक्स)

35A

विन्यास

Full Bridge

निम्नलिखित "BSM25GD120DN2BOSA1" संबंधित उत्पाद हैं।

BSM300GB60DLCHOSA1

विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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