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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    BSM300D12P2E001
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    4V @ 68mA
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    Module
  • शृंखला
    -
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    -
  • पावर - मैक्स
    1875W
  • पैकेजिंग
    Tray
  • पैकेज / प्रकरण
    Module
  • परिचालन तापमान
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Chassis Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • निर्माता मानक लीड टाइम
    32 Weeks
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    35000pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    -
  • FET प्रकार
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET फ़ीचर
    Silicon Carbide (SiC)
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • विस्तृत विवरण
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1875W Chassis Mount Module
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    300A (Tc)
BSM300GA170DLCHOSA1

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

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विवरण: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

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विवरण: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

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विवरण: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

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विवरण: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

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विवरण: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

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BSM25GD120DN2E3224BOSA1

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विवरण: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

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विवरण: IGBT MODULE 600V 230A

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-1

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BSM30GD60DLCE3224

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विवरण: IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1

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BSM300GA170DN2HOSA1

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विवरण: MODULE IGBT 1700V

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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BSM25GD120DN2BOSA1

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विवरण: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

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BSM300GA120DLCSHOSA1

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विवरण: IGBT 2 MED POWER 62MM-2

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