International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP300L6327HUSA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSP300L6327HUSA1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

BSP300L6327HUSA1.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 1mA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-SOT223-4
शृंखला

SIPMOS®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

20 Ohm @ 190mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.8W (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-261-4, TO-261AA
दुसरे नाम

BSP300 L6327
BSP300 L6327-ND
BSP300L6327HUSA1TR
BSP300L6327XT
SP000089201
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

230pF @ 25V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

800V
विस्तृत विवरण

N-Channel 800V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

190mA (Ta)

निम्नलिखित "BSP300L6327HUSA1" संबंधित उत्पाद हैं।

BSP316PH6327XTSA1

विवरण: MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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