International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP315PE6327T

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विशेष विवरण

भाग संख्या

BSP315PE6327T
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

BSP315PE6327T.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 160µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-SOT223-4
शृंखला

SIPMOS®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

800 mOhm @ 1.17A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

1.8W (Ta)
पैकेजिंग

Original-Reel®
पैकेज / प्रकरण

TO-261-4, TO-261AA
दुसरे नाम

BSP315PXTINDKR
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

160pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

7.8nC @ 10V
FET प्रकार

P-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

60V
विस्तृत विवरण

P-Channel 60V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

1.17A (Ta)

निम्नलिखित "BSP315PE6327T" संबंधित उत्पाद हैं।

BSP316PE6327T

विवरण: MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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