International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD042P03L3GATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPD042P03L3GATMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IPD042P03L3GATMA1.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2V @ 270µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO252-3

शृंखला

OptiMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

4.2 mOhm @ 70A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

150W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

IPD042P03L3GATMA1-ND
IPD042P03L3GATMA1TR
SP001127836

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

12400pF @ 15V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

175nC @ 10V

FET प्रकार

P-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V

विस्तृत विवरण

P-Channel 30V 70A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

70A (Tc)