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IPD053N06NATMA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPD053N06NATMA1
  • निर्माता / ब्रांड
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    2.8V @ 36µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO252-3
  • शृंखला
    OptiMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    5.3 mOhm @ 45A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    3W (Ta), 83W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    IPD053N06N
    IPD053N06NATMA1TR
    IPD053N06NTR
    IPD053N06NTR-ND
    IPD053N06NXTMA1
    SP000962138
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2000pF @ 30V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    27nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    6V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    60V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 60V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    18A (Ta), 45A (Tc)
IPD053N08N3GBTMA1

IPD053N08N3GBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

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IPD04N03LA G

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विवरण: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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IPD04N03LB G

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

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IPD050N10N5ATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

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IPD042P03L3GATMA1

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विवरण: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

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IPD060N03LGATMA1

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IPD042P03L3GBTMA1

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विवरण: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

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विवरण: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

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