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1917221IPD053N08N3GBTMA1 छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD053N08N3GBTMA1

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IPD053N08N3GBTMA1
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IPD053N08N3GBTMA1.pdf
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3.5V @ 90µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    PG-TO252-3
  • शृंखला
    OptiMOS™
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    5.3 mOhm @ 90A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    150W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • दुसरे नाम
    IPD053N08N3 GCT
    IPD053N08N3 GCT-ND
    IPD053N08N3GBTMA1CT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    4750pF @ 40V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    69nC @ 10V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    6V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    80V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 80V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    90A (Tc)
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IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

विवरण: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD053N06NATMA1

IPD053N06NATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 100V 90A

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD04N03LA G

IPD04N03LA G

विवरण: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD05N03LA G

IPD05N03LA G

विवरण: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPD053N06N3GBTMA1

IPD053N06N3GBTMA1

विवरण: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
RFQ
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

विवरण: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)
स्टॉक में
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IPD050N10N5ATMA1

IPD050N10N5ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

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IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

विवरण: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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RFQ
IPD05N03LB G

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

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RFQ
IPD050N03LGBTMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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IPD050N03LGATMA1

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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