International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R650CEBTMA1

कोट अनुरोध करें

कृपया अपनी संपर्क जानकारी के साथ सभी आवश्यक फ़ील्ड को पूरा करें। "RFQ सबमिट करें" हम आपको ईमेल द्वारा शीघ्र ही संपर्क करेंगे।या हमें ईमेल करें:info@ftcelectronics.com

संदर्भ मूल्य (यूएस डॉलर में)~~~~

~~स्टॉक में~~

2500+

$0.411

5000+

$0.39

12500+

$0.376

25000+

$0.364

62500+

$0.352

जांच ऑनलाइन

मात्रा

लक्ष्य मूल्य (USD)

संपर्क नाम

कंपनी

ईमेल

फ़ोन

संदेश

विशेष विवरण

भाग संख्या

IPD50R650CEBTMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IPD50R650CEBTMA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.5V @ 150µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO252-3

शृंखला

CoolMOS™

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

650 mOhm @ 1.8A, 13V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

47W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

IPD50R650CE
IPD50R650CEBTMA1TR
IPD50R650CETR
IPD50R650CETR-ND
SP000992078

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

342pF @ 100V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

13V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

500V

विस्तृत विवरण

N-Channel 500V 6.1A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6.1A (Tc)