International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R950CEATMA1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IPD50R950CEATMA1

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

1.IPD50R950CEATMA1.pdf
2.IPD50R950CEATMA1.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3.5V @ 100µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO252-3

शृंखला

CoolMOS™ CE

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

950 mOhm @ 1.2A, 13V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

53W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

IPD50R950CEATMA1-ND
IPD50R950CEATMA1TR
SP001117712

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

231pF @ 100V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10.5nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

13V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

500V

विस्तृत विवरण

N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.3A (Tc)