IRD3CH101DB6

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRD3CH101DB6
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRD3CH101DB6.pdf
ईसीएडी मॉडल
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

2.7V @ 200A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

1200V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

Die
गति

Fast Recovery = 200mA (Io)
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

360ns
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

Die
दुसरे नाम

SP001535420
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-40°C ~ 175°C
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 1200V 200A Surface Mount Die
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

3.6µA @ 1200V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

200A
समाई @ वीआर, एफ

-

निम्नलिखित "IRD3CH101DB6" संबंधित उत्पाद हैं।

IRD3910

विवरण: DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB

निर्माता: Electro-Films (EFI) / Vishay

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