IRD3CH11DB6

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRD3CH11DB6
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRD3CH11DB6.pdf
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं

2.7V @ 25A
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स)

1200V
प्रदायक डिवाइस पैकेज

Die
गति

Fast Recovery = 200mA (Io)
शृंखला

-
रिवर्स वसूली समय (trr)

190ns
पैकेजिंग

Bulk
पैकेज / प्रकरण

Die
दुसरे नाम

SP001538788
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-40°C ~ 150°C
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
डायोड प्रकार

Standard
विस्तृत विवरण

Diode Standard 1200V 25A Surface Mount Die
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर

700nA @ 1200V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ)

25A
समाई @ वीआर, एफ

-

निम्नलिखित "IRD3CH11DB6" संबंधित उत्पाद हैं।

IRD3CH16DD6

विवरण: DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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