5202361

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6635TR1

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF6635TR1
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IRF6635TR1.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.35V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET™ MX
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

1.8 mOhm @ 32A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric MX
दुसरे नाम

IRF6635TR1-ND
IRF6635TR1TR
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

3 (168 Hours)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5970pF @ 15V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

71nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

32A (Ta), 180A (Tc)

निम्नलिखित "IRF6635TR1" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF6631TR1PBF

विवरण: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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