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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6636TR1PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF6636TR1PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRF6636TR1PBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.45V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET™ ST
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

4.5 mOhm @ 18A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.2W (Ta), 42W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric ST
दुसरे नाम

IRF6636TR1PBFTR
SP001525496
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2420pF @ 10V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

27nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V
विस्तृत विवरण

N-Channel 20V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

18A (Ta), 81A (Tc)

निम्नलिखित "IRF6636TR1PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF6635TR1PBF

विवरण: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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