International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6643TR1PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF6643TR1PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRF6643TR1PBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.9V @ 150µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET™ MZ
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

34.5 mOhm @ 7.6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric MZ
दुसरे नाम

IRF6643TR1PBFTR
SP001554104
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2340pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

55nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

150V
विस्तृत विवरण

N-Channel 150V 6.2A (Ta), 35A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6.2A (Ta), 35A (Tc)

निम्नलिखित "IRF6643TR1PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF6637TR1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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