International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6646TRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF6646TRPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRF6646TRPBF.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.9V @ 150µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET™ MN

शृंखला

HEXFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

9.5 mOhm @ 12A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric MN

दुसरे नाम

IRF6646TRPBFTR
SP001564784

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2060pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

50nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

80V

विस्तृत विवरण

N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

12A (Ta), 68A (Tc)