International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6662TRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF6662TRPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRF6662TRPBF.pdf

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4.9V @ 100µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET™ MZ

शृंखला

HEXFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

22 mOhm @ 8.2A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric MZ

दुसरे नाम

IRF6662TRPBFCT

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1360pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

31nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V

विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

8.3A (Ta), 47A (Tc)