International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6665TR1PBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF6665TR1PBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRF6665TR1PBF.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

DIRECTFET™ SH
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

62 mOhm @ 5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.2W (Ta), 42W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

DirectFET™ Isometric SH
दुसरे नाम

IRF6665TR1PBFTR
SP001564530
परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

530pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

13nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.2A (Ta), 19A (Tc)

निम्नलिखित "IRF6665TR1PBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF6674TRPBF

विवरण: MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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