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5580184IRF7807TRPBF छविInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7807TRPBF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRF7807TRPBF
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IRF7807TRPBF.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    1V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±12V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    8-SO
  • शृंखला
    HEXFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    25 mOhm @ 7A, 4.5V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    2.5W (Ta)
  • पैकेजिंग
    Cut Tape (CT)
  • पैकेज / प्रकरण
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • दुसरे नाम
    *IRF7807TRPBF
    IRF7807PBFCT
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    17nC @ 5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    30V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    8.3A (Ta)
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IRF7807D1

IRF7807D1

विवरण: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807D1TRPBF

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807VD2PBF

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विवरण: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

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IRF7807D2

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IRF7807VPBF

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IRF7807TR

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