International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF7807VD1TR

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRF7807VD1TR
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

IRF7807VD1TR.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

3V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SO
शृंखला

FETKY™
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

25 mOhm @ 7A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.5W (Ta)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

14nC @ 4.5V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

Schottky Diode (Isolated)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V
विस्तृत विवरण

N-Channel 30V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

8.3A (Ta)

निम्नलिखित "IRF7807VD1TR" संबंधित उत्पाद हैं।

IRF7807VD1PBF

विवरण: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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