International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB4321GPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFB4321GPBF
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 150V 83A TO-220AB
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

IRFB4321GPBF.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)

±30V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220AB
शृंखला

HEXFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

15 mOhm @ 33A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

330W (Tc)
पैकेजिंग

Tube
पैकेज / प्रकरण

TO-220-3
दुसरे नाम

SP001556020
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4460pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

110nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

150V
विस्तृत विवरण

N-Channel 150V 83A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

83A (Tc)

निम्नलिखित "IRFB4321GPBF" संबंधित उत्पाद हैं।

IRFB4227PBF

विवरण: MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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