International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB42N20DPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFB42N20DPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRFB42N20DPBF.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

5.5V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±30V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

TO-220AB

शृंखला

HEXFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

55 mOhm @ 26A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

2.4W (Ta), 330W (Tc)

पैकेजिंग

Tube

पैकेज / प्रकरण

TO-220-3

दुसरे नाम

*IRFB42N20DPBF
SP001560222

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3430pF @ 25V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

140nC @ 10V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

200V

विस्तृत विवरण

N-Channel 200V 44A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

44A (Tc)