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IRFR3711TRRPBF

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विशेष विवरण
  • भाग संख्या
    IRFR3711TRRPBF
  • निर्माता / ब्रांड
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • शेयर मात्रा
    स्टॉक में
  • विवरण
    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस
    लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
  • डाटा शीट
    IRFR3711TRRPBF.pdf
  • ईसीएडी मॉडल
  • वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र
    3V @ 250µA
  • वीजीएस (मैक्स)
    ±20V
  • प्रौद्योगिकी
    MOSFET (Metal Oxide)
  • प्रदायक डिवाइस पैकेज
    D-Pak
  • शृंखला
    HEXFET®
  • आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
    6.5 mOhm @ 15A, 10V
  • शक्ति का अपव्यय (मैक्स)
    2.5W (Ta), 120W (Tc)
  • पैकेजिंग
    Tape & Reel (TR)
  • पैकेज / प्रकरण
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • परिचालन तापमान
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • माउन्टिंग का प्रकार
    Surface Mount
  • नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)
    1 (Unlimited)
  • लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति
    Lead free / RoHS Compliant
  • इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
    2980pF @ 10V
  • गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
    44nC @ 4.5V
  • FET प्रकार
    N-Channel
  • FET फ़ीचर
    -
  • ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
    4.5V, 10V
  • स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)
    20V
  • विस्तृत विवरण
    N-Channel 20V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस
    100A (Tc)
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IRFR3711TRL

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विवरण: MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

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IRFR3711ZTRR

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IRFR3711TRPBF

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IRFR3711PBF

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IRFR3711ZTRRPBF

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IRFR3711TRLPBF

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IRFR3711

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IRFR3711ZTR

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IRFR3711TR

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IRFR3710ZTRRPBF

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IRFR3711ZTRLPBF

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IRFR3711Z

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IRFR3806PBF

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IRFR3711ZCTRPBF

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IRFR3710ZTRR

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