IRFR3711ZTRPBF

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विशेष विवरण

भाग संख्या

IRFR3711ZTRPBF

निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

शेयर मात्रा

स्टॉक में

विवरण

MOSFET N-CH 20V 93A DPAK

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप

डाटा शीट

IRFR3711ZTRPBF.pdf

ईसीएडी मॉडल

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

2.45V @ 250µA

वीजीएस (मैक्स)

±20V

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

D-Pak

शृंखला

HEXFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

5.7 mOhm @ 15A, 10V

शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

79W (Tc)

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

पैकेज / प्रकरण

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

दुसरे नाम

IRFR3711ZPBFTR
IRFR3711ZTRPBF-ND
IRFR3711ZTRPBFTR-ND
SP001557010

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)

लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2160pF @ 10V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

27nC @ 4.5V

FET प्रकार

N-Channel

FET फ़ीचर

-

ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

4.5V, 10V

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

20V

विस्तृत विवरण

N-Channel 20V 93A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

93A (Tc)