International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB21N10

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SPB21N10
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड / आरओएचएस के अनुरूप नहीं है
डाटा शीट

SPB21N10.pdf
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 44µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO263-3-2
शृंखला

SIPMOS®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

80 mOhm @ 15A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

90W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

SPB21N10INTR
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Contains lead / RoHS non-compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

865pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

38.4nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

21A (Tc)

निम्नलिखित "SPB21N10" संबंधित उत्पाद हैं।

SPB20N60S5ATMA1

विवरण: MOSFET N-CH 600V 20A TO-263

निर्माता: International Rectifier (Infineon Technologies)

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