International Rectifier (Infineon Technologies)

SPB21N10 G

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विशेष विवरण

भाग संख्या

SPB21N10 G
निर्माता / ब्रांड

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
शेयर मात्रा

स्टॉक में
विवरण

MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्टेटस

लीड फ्री / आरओएचएस के अनुरूप
डाटा शीट

SPB21N10 G.pdf
ईसीएडी मॉडल
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

4V @ 44µA
वीजीएस (मैक्स)

±20V
प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज

PG-TO263-3-2
शृंखला

SIPMOS®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

80 mOhm @ 15A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)

90W (Tc)
पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)
पैकेज / प्रकरण

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
दुसरे नाम

SP000102171
SPB21N10 G-ND
SPB21N10G
SPB21N10GXT
परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)

1 (Unlimited)
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति

Lead free / RoHS Compliant
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

865pF @ 25V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

38.4nC @ 10V
FET प्रकार

N-Channel
FET फ़ीचर

-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)

10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

100V
विस्तृत विवरण

N-Channel 100V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

21A (Tc)

निम्नलिखित "SPB21N10 G" संबंधित उत्पाद हैं।

SPB200-AL-1

विवरण: WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N

निर्माता: H&D Wireless

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